Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD8P50G1
8A, 500V P-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD8P50G1
HGTD8P50G1 Hakkında
HGTD8P50G1, Rochester Electronics tarafından üretilen 8A 500V P-Channel IGBT transistörüdür. TO-251-3 (IPak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, 500V collector-emitter arasında yüksek voltaj dayanımı sağlar. Maksimum 12A sürekli akım (pulselanmış durumlarda 18A) taşıyabilir ve 3.7V Vce(on) değeri ile düşük doyum gerilimi karakteristiğine sahiptir. 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 66W maksimum güç tüketimi özellikleri vardır. Güç yönetimi uygulamalarında, DC/AC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 66 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok