Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD7N60C3S9A
IGBT 600V 14A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD7N60C3
HGTD7N60C3S9A Hakkında
HGTD7N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V 14A kapasiteli tekil IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde kullanılan bir güç yarı iletkendir. 60W maksimum güç tüketimine ve 56A darbe akımı (Icm) özelliğine sahiptir. Gate şarj değeri 23nC ile kontrol devreleri basitleştirilmiştir. Açık durumda 2V Vce(on) ve kapanış enerjisi 600µJ ile endüstriyel uygulamalarda verimli çalışır. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Parça obsolete (üretilmiyor) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok