Transistörler - IGBT - Tekil

HGTD7N60C3S

600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HGTD7N60C3S

HGTD7N60C3S Hakkında

HGTD7N60C3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V 14A N-channel IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, switching ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 23 nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleri ile düşük kayıp işletimi sağlar. 56A pulsed collector akımı kapasitesi ve 60W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, inverter ve SMPS uygulamalarına uygundur. -40°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığı, geniş ortam koşullarında kullanılmaya izin verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 14 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 56 A
Gate Charge 23 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 60 W
Supplier Device Package TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok