Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD7N60B3S
14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD7N60B3
HGTD7N60B3S Hakkında
HGTD7N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A sürekli kollektör akımı ve 600V yüksek voltaj derecelendirmesine sahip N-Channel IGBT transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 37nC gate charge ve 26ns/130ns on/off geçiş süreleri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 60W maksimum güç derecelendirmesi ile motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 37 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 72µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/130ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok