Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD7N60B3
14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD7N60B3
HGTD7N60B3 Hakkında
HGTD7N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A maksimum collector akımı ve 600V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek akım kontrolü gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. 60W maksimum güç kapasitesi ile inverter, motor sürücüsü, güç kaynağı ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 30nC ile hızlı anahtarlama sağlar. Vce(on) değeri 2.1V (15V gate voltajında 7A collector akımında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel ve tüketim elektroniklerinde dayanıklı bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Switching Energy | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/130ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok