Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD6N40E1S
6A, 400V N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD6N40E1S
HGTD6N40E1S Hakkında
HGTD6N40E1S, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A nominal akım ve 400V kesme gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 60W maksimum güç tüketimi ile 3A kolektör akımında 2.5V Vce(on) değeri gösterir. Gate charge değeri 6.9 nC olup, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Standart giriş tipine sahip olan bu IGBT, hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge sayesinde enerji tasarrufu gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7.5 A |
| Gate Charge | 6.9 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 10V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok