Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60C3S9A
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60C3
HGTD3N60C3S9A Hakkında
HGTD3N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 6A sürekli collector akımı ve 24A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 33W güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2V'tur. 85µJ açılış ve 245µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Bu IGBT, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Komponent şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 10.8 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 33 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Test Condition | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok