Transistörler - IGBT - Tekil

HGTD3N60C3S

6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HGTD3N60C3

HGTD3N60C3S Hakkında

HGTD3N60C3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A, 600V UFS serisi N-Channel IGBT transistörüdür. Surface Mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 24A pulse collector akımı ve 33W güç tüketimine kapaklıdır. 13.8 nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, inverter devreleri ve anahtarlama kaynakları gibi kullanım alanlarında tercih edilir. 600V breakdown voltajı ve 2V Vce(on) değeri verimli güç yönetimini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A
Gate Charge 13.8 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 33 W
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok