Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60C3
6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60C3
HGTD3N60C3 Hakkında
HGTD3N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A, 600V N-Channel IGBT transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 33W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 2V'dir (15V gate voltajında, 3A kollektör akımında). 13.8 nC gate charge ve 10 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 24A pulse kollektör akımını tolere edebilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 13.8 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 10 ns |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok