Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60B3S9A
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60B3
HGTD3N60B3S9A Hakkında
HGTD3N60B3S9A, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A sürekli, 20A darbe akımına kapaklı bir N-channel IGBT transistörüdür. 600V kollektör-emiter bozulma gerilimi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 2.1V Vce(on) değeri ve 18ns açılış/105ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok