Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60B3S
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60B3
HGTD3N60B3S Hakkında
HGTD3N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A kollektör akımına ve 600V kırılma voltajına sahip N-Channel IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama ve inverter uygulamalarında kullanılır. 33.3W maksimum güç yeteneği ve 21nC gate charge değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 18ns açılış ve 105ns kapanış süresi, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta, endüstriyel motor kontrolü, kaynak cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok