Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60B3
7A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60B3
HGTD3N60B3 Hakkında
HGTD3N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A, 600V N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 3.5A collector akımında 2.1V olup, 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 18ns açılış ve 105ns kapanış süresi ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. İleri beslemeli güç dönüştürme uygulamaları, PWM kontrolü ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 600V ters dönüş voltajı toleransı ile güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok