Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD3N60A4S
IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD3N60A4S
HGTD3N60A4S Hakkında
HGTD3N60A4S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 600V kesme voltajı ve 17A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulur. 70W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 3A collector akımında 2.7V olarak belirtilmiştir. 32nC gate charge değeri ile düşük kapasitanslı tasarımıdır. İçteki 6ns açılış (Td on) ve 73ns kapanış (Td off) zamanları hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı vardır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok