Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD1N120BNS9A
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD1N120BN
HGTD1N120BNS9A Hakkında
HGTD1N120BNS9A, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5.3A collector akımı ve 60W güç disipasyonuna sahiptir. 1200V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15ns açılış ve 67ns kapanış süresi ile hızlı switching karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 14nC'dir. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve benzer yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.3 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 6 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/67ns |
| Test Condition | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok