Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD10N50F1
10A, 500V N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD10N50F1
HGTD10N50F1 Hakkında
HGTD10N50F1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A/500V N-Channel IGBT transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve orta akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500V breakdown voltajı ve maksimum 12A kolektör akımı ile güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve switching uygulamalarında yer bulur. 75W maksimum güç yeteneği ve 2.5V on-state voltajı (10V gate voltajda, 5A akımda) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 13.4nC gate charge değeri ile hızlı switching performansı sunar. Through-hole montaj tipi, endüstriyel ve güç elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Gate Charge | 13.4 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 10V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok