Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD10N40F1S
10A, 400V N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD10N40F1S
HGTD10N40F1S Hakkında
HGTD10N40F1S, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V rated N-Channel IGBT transistördür. TO-252 (D-Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 12A collector akımı, 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. 13.4 nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 75W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, ışık kontrolü ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur. Aktif durumda olan bu ürün, yüksek verimlilik gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Gate Charge | 13.4 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 10V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok