Transistörler - IGBT - Tekil

HGTB12N60D1C

12A, 600V N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-5
Seri / Aile Numarası
HGTB12N60D1C

HGTB12N60D1C Hakkında

HGTB12N60D1C, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A, 600V N-channel IGBT transistördür. Standard giriş tipine sahip bu bileşen, Through Hole montaj yöntemiyle PCB'ye entegre edilir. TO-220-5 paketinde sunulan transistör, maksimum 75W güç kapasitesine ve 40A pulse akım değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu IGBT, güç anahtarlama uygulamalarında, invertörler, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Vce(on) değeri 2.7V olup, 600V collector-emitter breakdown voltajı endüstriyel ve tüketici uygulamaları için uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-5
Part Status Active
Power - Max 75 W
Supplier Device Package TO-220-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok