Transistörler - IGBT - Tekil
HGTA32N60E2
32A, 600V N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-5
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTA32N60E2
HGTA32N60E2 Hakkında
HGTA32N60E2, Rochester Electronics tarafından üretilen 32A, 600V N-channel IGBT transistördür. TO-218-5 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A DC ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 265 nC olup standart giriş tipinde çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel güç elektronikleri alanında yaygın olarak kullanılır. 208W maksimum güç tüketimi ile orta ve yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 265 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-5 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208 W |
| Supplier Device Package | TO-218-5 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 32A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok