Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60C3DS9A
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A Hakkında
HGT1S7N60C3DS9A, onsemi tarafından üretilen 600V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT transistördür. 14A sabit collector akımı ve 56A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 60W maksimum güç dağıtımı, 37ns reverse recovery time ve 165µJ (on) / 600µJ (off) switching energy değerleriyle, motor sürücüleri, inverter devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanabilir. Vce(on) değeri 2V @ 15V, 7A test koşullarında ölçülmüştür. Not: Bu ürün lifecycle'ı tamamlanmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok