Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60C3DS
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60C3DS
HGT1S7N60C3DS Hakkında
HGT1S7N60C3DS, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 14A maksimum kollektör akımı ve 60W güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 23nC gate charge ve 37ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama yapabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 7A akımda 2V olarak belirtilmiştir. Ön kapama (on) enerjisi 165µJ, kapatma (off) enerjisi 600µJ'dir. Ind motör sürücüleri, şarj cihazları ve kontrol devreleri gibi anahtarlamaya dayalı elektrik sistemlerinde tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 23 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok