Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60C3D
IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60C3D
HGT1S7N60C3D Hakkında
HGT1S7N60C3D, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 14A sürekli collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 56A pals akımı kapasitesi ve 25ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 60W maksimum güç disipasyonu ve 2V Vce(on) değeri ile endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve DC-DC konverter uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 38 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok