Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60B3DS
14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60B3DS
HGT1S7N60B3DS Hakkında
HGT1S7N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 14 A maksimum collector akımı ve 600 V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistörüdür. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 60 W güç dağıtım kapasitesine ve 2.1V (Vce(on)) açılış voltajına sahiptir. 30 nC gate charge ve 26ns açılış/130ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Ters kurtarma süresi 37 ns olup, 160µJ açılış ve 120µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde, invertör uygulamalarında ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/130ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok