Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60B3D
14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60B3D
HGT1S7N60B3D Hakkında
HGT1S7N60B3D, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A collector akımı ve 600V breakdown voltajına sahip N-Channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60W maksimum güç derating kapasitesi ile tasarlanmış olan cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 30nC gate charge ve 26ns/130ns on/off delay süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2.1V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı anlamına gelir ve 21ns reverse recovery time ile verimli çalışma imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21 ns |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Switching Energy | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/130ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok