Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60A4DS9A
IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60A4DS9A
HGT1S7N60A4DS9A Hakkında
HGT1S7N60A4DS9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 34A maksimum kollektör akımı ve 600V kollektör-emitter breakdown voltajı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip bu bileşen, motor kontrol, konvertörler, şarj cihazları ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 60nC gate charge ve 11ns turn-on / 100ns turn-off zamanları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 34 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 60 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 120µJ (on), 60µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/100ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok