Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S7N60A4DS
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS Hakkında
HGT1S7N60A4DS, onsemi tarafından üretilen 600V/34A IGBT transistörüdür. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 125W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 37 nC gate charge ve 55µJ on/60µJ off switching energy özellikleriyle orta frekanslı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 2.7V Vce(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. Ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 34 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 37 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/100ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok