Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S3N60C3DS
6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S3N60C3
HGT1S3N60C3DS Hakkında
HGT1S3N60C3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A maksimum kolektör akımı ve 600V çökme gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. Standard giriş tipi özellikleriyle geniş uygulama alanında entegre edilebilir. Aktif ürün statüsü ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok