Transistörler - IGBT - Tekil

HGT1S3N60C3D

6A, 600V, N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HGT1S3N60C3D

HGT1S3N60C3D Hakkında

HGT1S3N60C3D, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel IGBT transistördür. 600V Collector-Emitter kırılma voltajı ile medium-voltage uygulamalarda kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 33W maksimum güç dissipasyonu ve -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletkendirme kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A
Gate Charge 13.8 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power - Max 33 W
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok