Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S3N60B3S
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S3N60B3S
HGT1S3N60B3S Hakkında
HGT1S3N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A collector akımına ve 600V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç dağıtabilir. 21nC gate charge ve 16ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Td(on) 18ns, Td(off) 105ns değerleriyle yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Endüstriyel motor kontrol, DC-DC konvertörleri, enerji çevirici sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok