Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S3N60B3DS
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S3N60B3
HGT1S3N60B3DS Hakkında
HGT1S3N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A maksimum akım ve 600V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek verimliliği desteklemek üzere tasarlanmıştır. 18 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 33.3W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Ac-dc dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok