Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S3N60A4DS9A
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S3N60A4DS9A
HGT1S3N60A4DS9A Hakkında
HGT1S3N60A4DS9A, onsemi tarafından üretilen 600V, 17A rated akım ile çalışan bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 70W güç disipasyonuna sahiptir. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile orta-yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 21 nC gate charge ve 6ns/73ns açılış/kapanış gecikmesi ile anahtarlama hızı sunar. Reverse recovery time 29 ns olup, switching enerji değerleri sırasıyla on için 37µJ, off için 25µJ'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 70 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 29 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok