Transistörler - IGBT - Tekil

HGT1S2N120CN

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN Hakkında

HGT1S2N120CN, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. Maximum 13A kolektör akımı ve 104W güç seviyesinde çalışır. TO-262-3 (I²Pak) paket formatında gelen bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Özellikle DC-DC konvertörleri, inverterler ve motor sürücülerinde yer alır. 30nC gate charge ile düşük sürüş gücü gerektirir. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Ürün obsolete durumda olup, mevcut stoklar sınırlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 20 A
Gate Charge 30 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power - Max 104 W
Supplier Device Package TO-262
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Test Condition 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok