Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S20N60C3S9A
IGBT 600V 45A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A Hakkında
HGT1S20N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V 45A IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 164W güç tüketimi ile çalışabilir. Collector akımı 45A, pulse akımı ise 300A'ye kadar ulaşabilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A collector akımında 1.8V olup, switching enerjisi on durumunda 295µJ, off durumunda 500µJ'dir. Gate charge 91nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ışık dimmerlemesi gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 91 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 164 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 295µJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/151ns |
| Test Condition | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok