Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S20N60A4S9A
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S20N60A4S9
HGT1S20N60A4S9A Hakkında
HGT1S20N60A4S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 70A sürekli kolektör akımı ve 280A pulse akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan tek transistör çözümüdür. TO-263AB (D²Pak) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 290W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Standart giriş tipinde çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlar. 142nC kapı yükü ve düşük anahtarlama enerjileriyle (on: 105µJ, off: 150µJ) endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Obsolete olması nedeniyle sınırlı tedarik mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 280 A |
| Gate Charge | 142 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 290 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok