Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S20N36G3VL
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S20N36G3VL
HGT1S20N36G3VL Hakkında
HGT1S20N36G3VL, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 395V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 37.7A kolektör akımı ile çalışır. 150W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 5V gate voltajında 20A'de 1.9V olup, 28.7nC gate charge ve 15µs switch-off zamanı özellikleri vardır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 37.7 A |
| Gate Charge | 28.7 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/15µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 25Ohm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 395 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok