Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S15N120C3S
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S15N120C3S
HGT1S15N120C3S Hakkında
HGT1S15N120C3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 35A kolektör akımı ve 1200V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 100 nC kapı yükü ve standart giriş tipi özellikleri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 164W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 15A kolektör akımında 3.5V'tur. 120A pulse kolektör akımı özelliği ile geçici yükleme durumlarında işletilmek üzere tasarlanmıştır. Endüstriyel invertörler, servo kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 164 W |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok