Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S15N120C3
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S15N120C3
HGT1S15N120C3 Hakkında
HGT1S15N120C3, Rochester Electronics tarafından üretilen 35A, 1200V N-CHANNEL IGBT transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketine sahip bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120A pulse collector akımı kapasitesi, 100nC gate charge değeri ve 3.5V maksimum Vce(on) ile verimli işlem sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 164W maksimum güç dağıtabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol devreleri, endüstriyel uygulamalar ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda yer bulur. Through-hole montajı ile PCB tasarımında esneklik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 164 W |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok