Transistörler - IGBT - Tekil

HGT1S14N36G3VLT

IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HGT1S14N36G3V

HGT1S14N36G3VLT Hakkında

HGT1S14N36G3VLT, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 (I²Pak) pakajında sunulan bu bileşen, 390V Vce(SAT) ve 18A maksimum kolektör akımına sahiptir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç invertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24nC gate charge ve 7µs kapalı duruma geçiş süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunmaktadır. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 18 A
Gate Charge 24 nC
Input Type Logic
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C -/7µs
Test Condition 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok