Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S14N36G3VLS
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S14N36G3VLS
HGT1S14N36G3VLS Hakkında
HGT1S14N36G3VLS, onsemi tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, 390V collector-emitter breakdown voltajına ve 18A maksimum collector akımına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100W güç tüketimine ve 2.2V on-state voltajına (5V gate voltajında, 14A akımda) sahiptir. 24nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine (7µs off-time) sahip olan bileşen, güç uygulamalarında kullanılan kontrol devrelerinde yer alır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Başta endüstriyel motor kontrol, inverter devreleri ve güç yönetimi uygulamaları olmak üzere çeşitli anahtarlama devrelerine uygundur. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Gate Charge | 24 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/7µs |
| Test Condition | 300V, 7A, 25Ohm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 5V, 14A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok