Transistörler - IGBT - Tekil

HGT1S12N60C3R

24A, 600V N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HGT1S12N60C3R

HGT1S12N60C3R Hakkında

HGT1S12N60C3R, Rochester Electronics tarafından üretilen 24A sürekli kollektör akımı ve 600V yıkılma voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 71 nC gate charge ve 2.2V @ 15V, 12A koşullarında açık durumda voltaj düşüşü özelliklerine sahiptir. Ön taraf geçiş süresi 37ns, arka taraf geçiş süresi 120ns olan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, şarj cihazları, motor kontrol devreleri, inverterler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 48A pulse akım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 24 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 48 A
Gate Charge 71 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power - Max 104 W
Reverse Recovery Time (trr) 37 ns
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Switching Energy 400µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 37ns/120ns
Test Condition 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok