Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60C3DS
IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60C3D
HGT1S12N60C3DS Hakkında
HGT1S12N60C3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 24A sürekli collector akımı ve 96A pulsed akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan transistör, 2.2V (15V, 15A koşullarında) VCE(on) değeri ve 71nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında etkindir. -40°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 104W maksimum güç yönetebilir. 32ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. Motor kontrol, switched mode power supplies (SMPS), inverter ve diğer AC/DC dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 24 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 71 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 32 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok