Transistörler - IGBT - Tekil

HGT1S12N60C3

27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HGT1S12N60C3

HGT1S12N60C3 Hakkında

HGT1S12N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter gerilimi ve 24A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maximum 96A pulse akımı kapasitesi bulunan bu bileşen, anahtarlama (switching) devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir. TO-262 (I²Pak) kılıfında sunulan transistör, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 104W maksimum güç dağıtmaktadır. 62nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 24 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 96 A
Gate Charge 62 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power - Max 104 W
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok