Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60B3S
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60B3S
HGT1S12N60B3S Hakkında
HGT1S12N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A, 600V N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu komponent, kontrollü anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 110A'lık atımlı akım kapasitesi, 68nC kapı yükü ve 2.1V tipik iletim voltajı ile verimli şalter karakteristiği sağlar. 26ns açılış ve 150ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel sürücüler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 304µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/150ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok