Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60B3DS
27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60B3DS
HGT1S12N60B3DS Hakkında
HGT1S12N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A kolektör akımı ve 600V desen gerilimi ile çalışan N-Channel IGBT transistörüdür. Standart input tipinde tasarlanan bu bileşen, TO-263AB paketinde sunulmaktadır. 110A darbe akımı kapasitesi ile geçici yüksek akım taleplerini karşılayabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 78 nC olup, 26ns/150ns hızlı açılma/kapanma zamanları sunar. 2.1V tipik Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimumda tutulur. 304µJ açılma ve 250µJ kapanma enerji değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve endüstriyel inverter devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 304µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/150ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok