Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60B3D
27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60B3D
HGT1S12N60B3D Hakkında
HGT1S12N60B3D, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A kollektör akımı ve 600V yüksek voltaj kapasitesine sahip bir N-Channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. 110A pulslu kollektör akımı, 78nC kapı yükü ve 304µJ aç/250µJ kapat anahtarlama enerjisi özellikleriyle hassas kontrol gerektiren devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 104W maksimum güç yönetebilir. İnverter, motor sürücü, kaynakçı ve indüktif yük anahtarlaması gibi endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Switching Energy | 304µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/150ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok