Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60B3
27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60B3
HGT1S12N60B3 Hakkında
HGT1S12N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A, 600V N-Channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım ve voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. Maximum 104W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol sistemleri, AC motor kontrolleri, ısıtma sistemi sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 68nC gate charge ile hızlı ve etkin anahtarlama özellikleri sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile +150°C arasında değişmektedir. 26ns açılış ve 150ns kapanış gecikmesi sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Switching Energy | 304µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/150ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok