Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60A4S9A
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60A4S9
HGT1S12N60A4S9A Hakkında
HGT1S12N60A4S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 54A kollektör akımı ve 167W maksimum güç yeteneğine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) kasa tipinde üretilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 78nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar ve 17ns açılış, 96ns kapanış gecikmesiyle dinamik performans sunmaktadır. Endüstriyel sürücü devreleri, SMPS (Switch Mode Power Supply) sistemleri ve elektrik motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok