Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60A4DS
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS Hakkında
HGT1S12N60A4DS, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 54A nominal ve 96A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 78nC gate charge ve 30ns reverse recovery time özellikleri ile sürücü devresi tasarımında kullanılır. Vce(on) değeri 15V, 12A koşullarında 2.7V olarak belirtilmiştir. Söndürme süresi 96ns, açılma süresi 17ns olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Ürün durumu itibariyle Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok