Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S12N60A4DS
IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS Hakkında
HGT1S12N60A4DS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 54A sürekli kolektör akımı (pulsed 96A) ve 600V kırılma voltajı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 167W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Gate charge değeri 120nC ile hızlı komutasyon özelliği gösterir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Switching energy değerleri (55µJ açılış, 50µJ kapanış) ile düşük enerji kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sürücüleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok