Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S10N120BN
HGT1S10N120BNST Hakkında
HGT1S10N120BNST, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT transistördür. 1200V kollektör-emitör diyot geriliminde 35A (darbe akımında 80A) taşıyabilen NPT tipi IGBT'dir. TO-263AB (D²Pak) paket tipinde surface mount olarak monte edilir. 298W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A kolektör akımında 2.7V olarak belirtilmiştir. Gate charge 100nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 23ns/165ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 298 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok