Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S10N120BNS
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS Hakkında
HGT1S10N120BNS, onsemi tarafından üretilen 1200V/35A NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 298W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 2.7V (15V, 10A'de) Vce(on) değeri ile düşük açık durum kaybına sahip olan cihaz, 23ns açılış ve 165ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 80A darbe kolektör akımı ve 100nC kapı yükü özellikleriyle, endüstriyel uygulamalar, güç elektroniği devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-AC inverterlerde kullanılır. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Not: Bu parça yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 298 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok